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行業(yè)資訊

氮化硼納米管在芯片熱界面領域導熱性能可提升10-20%,成本僅增加1-2%

發(fā)布日期:2025-03-10 作者:大連義邦科技 瀏覽數(shù):377
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芯片級封裝是集成電路(IC)制造中至關重要的環(huán)節(jié),它直接影響著IC的性能、可靠性和成本。隨著電子設備不斷追求更小型化、更高性能和更低功耗,芯片級封裝技術也在不斷演進。



氮化硼納米管在TIM中的應用

 

隨著電子設備的性能不斷提升,芯片的散熱問題日益突出。傳統(tǒng)的熱界面材料(TIM)如熱環(huán)氧和硅樹脂雖成本低,但導熱性能有限,已在散熱效率上已逐漸接近極限,因此需要新的材料來進一步提升散熱性能。氮化硼納米管(BNNT)作為一種新型的高導熱填料,正在成為優(yōu)化芯片散熱的關鍵材料。

 

在芯片封裝中,TIM1和TIM2是關鍵的散熱材料。TIM1通常用于芯片與散熱器之間的界面,而TIM2則用于散熱器與熱沉之間的界面。通過在TIM中添加氮化硼納米管粉末,可以顯著提升導熱性能。

 


氮化硼納米管的加入,徹底改變了這一局面

 

●在TIM中添加大連義邦氮化硼納米管,導熱性能可提升10-20%,而成本僅增加1-2%。這意味著,只需極小的成本投入,就能顯著提升處理器的散熱效率,延長設備的使用壽命。

 

●高性價比:相比其他導熱填料,氮化硼納米管的添加比例極低(通常為0.5%-5%),卻能帶來顯著的導熱性能提升。而其他填料如氧化鋁、氮化鋁等,添加比例往往高達20-40%,不僅成本大幅增加,還可能改變材料的物理性質,影響散熱效果。

 

●穩(wěn)定性與兼容性:氮化硼納米管具有優(yōu)異的化學穩(wěn)定性和熱穩(wěn)定性,能夠在高溫環(huán)境下保持穩(wěn)定的導熱性能,且不會與其他材料發(fā)生不良反應,確保散熱系統(tǒng)的長期可靠性。

 


大連義邦氮化硼納米管的優(yōu)勢

 

●超高導熱系數(shù):氮化硼納米管的導熱系數(shù)高達2400 W/m·K,是銅的6倍,鉆石的3倍。這種卓越的導熱性能,使其成為芯片散熱材料的理想選擇。

 

●電絕緣性:氮化硼納米管具有極高的電阻率(>10? Ω·cm),且?guī)稙?.5 eV,是一種優(yōu)異的電絕緣體。這使得它在高密度集成電路中能夠有效避免短路風險,確保設備的安全運行。

 

●化學穩(wěn)定性:氮化硼納米管在高溫環(huán)境下表現(xiàn)出優(yōu)異的化學穩(wěn)定性,能夠在850-900°C的高溫下保持穩(wěn)定,遠高于碳材料的350-550°C。這種特性使其在高溫工作環(huán)境中具有更長的使用壽命。

 

大連義邦氮化硼納米管憑借領先的導熱性能、輕量化特性和電絕緣性,正在成為芯片散熱領域的理想材料之一。無論是作為熱界面材料的添加劑,還是封裝材料的增強劑,氮化硼納米管都能顯著提升散熱性能,延長設備壽命,同時降低生產(chǎn)成本。如需獲得更多氮化硼納米管在芯片熱界面領域的應用,或者是相關應用信息,請與我們專家團隊取得聯(lián)系,電話13130080576。

 



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